一、生產(chǎn)線上的靜電及其危害
1、半導(dǎo)體和IC生產(chǎn)線上的靜電及其危害:
①、穿著尼龍衣、塑膠基底鞋緩慢在清潔地板上走動,人身會帶7KV-8KV電壓。
②、玻璃纖維制成的晶體載料盒滑過聚丙烯桌面時,易產(chǎn)生10KV靜電。
③、晶片裝配線:晶片5KV,晶片裝料盒35KV,工作服10KV,桌面10KV,有機玻璃蓋8KV,石英晶體1.5KV,晶片托盤6KV。④光刻間塑料地面500V-1000V,金屬網(wǎng)格地面也是500V-1000V,擴散間塑料地面500V-1500V瓷磚地面也是500V-1500V,塑料墻面約700V,塑料頂棚0-1000V,鋁板送風(fēng)口,回風(fēng)口500V-1000V,金屬活動皮革椅面500V-3000V。
2、半導(dǎo)體和IC生產(chǎn)線上的靜電危害:
①、靜電庫侖力的危害:靜電庫侖國作用下吸附的粉塵、污物,可能帶給元器件,從而增大泄露或造成短路,使性能受損,成品率大大下降。如粉塵粒徑〉100微米,鋁線寬度約100微米,薄膜厚度在50微米以下時,濟易使產(chǎn)品報廢,這種情形多發(fā)生在腐蝕清洗、光刻、點焊和封裝等工藝過程中。
②、靜電放電引起的危害:如有數(shù)千、數(shù)萬伏的高電位物體發(fā)生脈沖刷形放電或火花放電時,瞬間會有很高的放電電流流向大地時,形成脈沖狀的電流峰位在20A,造成可觀的影響,靜電放電(ESD)還伴隨著電磁波發(fā)射,會引起種種危害。A、MOSIC等半導(dǎo)體器件將被靜電放電(ESD)擊穿或半擊穿。MOS場效應(yīng)管其柵極是從氧化膜引出,柵極與襯底間是隔著一層氧化膜,當(dāng)柵極與襯底間的電壓超過一定值,氧化膜便被擊穿,如果MOSIC,則全部報廢了當(dāng)施加電壓于天UB=50-100V,氧化膜便會被擊穿,因為柵極電容很?。s幾個微微法),輸入阻搞很高(約1014Ω以上),這樣,少量的電荷就會產(chǎn)生很高電壓,電荷也很難匯漏,只要大于50V(無保護)就會燒毀,所以,只要人手一摸柵極,元件就壞了,因為人帶電超過50V是平常事。
二、各類絕緣膜的耐壓值絕緣膜 絕緣耐壓MV/cm 介電常數(shù)
Si02Si3NTa202Tr02TiO2Nb2O5 10105-8415 472522-2220-4030-100
三、各類元件典型耐靜電壓數(shù)值類型 耐放電壓值(v)
VMOSMOSFETGaAsFETEP ROM運算放大器JFETC MOS肖特基二極管雙極型晶體管ECL可控硅肖特基TTL混合電路SAW 30-1800100-200100-300100190-2500140-700250-3000300-3000380-7000500-1500680-1100300-2500500150-500,我們可以了解到集成電路對靜電敏感性,各種芯片不同之處在于所能承受的耐靜電壓值不同。實際工用條件中,幾乎20V的靜電壓直接接觸器件就足以毀壞或降低性能。
四、組裝中要損壞元器件,或造成電子儀器設(shè)備故障或誤動作。
靜電放電損壞元器件使整塊印刷電路板失去作用,造成經(jīng)濟損失;靜電放電的噪聲引起機器設(shè)備的誤動作或故障一間接放電影響,電容放電測得結(jié)果,除產(chǎn)生瞬間脈沖大電流外,還會產(chǎn)生跨越數(shù)兆赫茲,甚至數(shù)百赫茲的強大噪聲。近年來,靜電放電噪聲引起計算機誤動作的基礎(chǔ)研究取得很大進展。放電時產(chǎn)生的電磁波進入接收機后,會產(chǎn)生雜音,干擾信號從而降低信息質(zhì)量,或引起信息誤碼。
3、靜電感應(yīng)的危害受靜電感應(yīng)的物體與帶電體完全等價,并有靜電力學(xué)現(xiàn)象和放電現(xiàn)象的發(fā)生,如果感應(yīng)物體的電阻是較小良導(dǎo)體時,還會發(fā)生火花放電而造成危害。
A、生產(chǎn)操作的車間里。高電壓設(shè)備、線路附近,人員在操作焊接、擺弄MOS器件或MOSIC時,由于靜電感應(yīng),極易引起人體對器件的靜電放電,從而損壞器件。
B、管道輸送的空調(diào)氣流(離子流),對人體吹風(fēng)時相當(dāng)于充電,當(dāng)帶電人體接觸敏感器件,靜電放電會擊穿損壞器件。對電子設(shè)備生產(chǎn)過程的靜電危害對某計算機廠生產(chǎn)過程中的靜電危害進行分析,分析結(jié)果,計算機生產(chǎn)過程中的靜電危害階段 靜電危害部位器件制造 切斷、接線、檢測、傳遞、交貨、運輸插件制造 元器件入廠檢測驗收、保管分發(fā)、插件插裝、焊接、清洗、檢測、傳弟、包裝運輸整機裝聯(lián) 插件驗收貯存、整機裝聯(lián)、調(diào)試、檢測、傳遞、包裝、運輸,整機生產(chǎn)的各個環(huán)節(jié)都會遭遇靜電破壞。主要環(huán)節(jié)包括:器件的采購運輸;器件進廠檢驗、驗收;器件儲存、領(lǐng)料;器件插裝、焊接;產(chǎn)品組裝、檢驗;產(chǎn)品包裝,發(fā)貨。除電子元件、電子設(shè)備生產(chǎn)過程中受到靜電破壞外,就是在產(chǎn)品使用過程中,也會受到靜電的危害。歸納起來,靜電引起的危害足以造成電子器件和電子設(shè)備性能失調(diào),其對電子器件、設(shè)備危害的狀況,靜電對半導(dǎo)體器件、電子設(shè)備的危害器件或設(shè)備種類 危害狀況,半導(dǎo)體器件 施加超過耐壓能力的電場導(dǎo)致器件擊穿、半擊穿、性能劣化磁帶錄相機 由于靜電吸附灰塵,促使磁頭磨損,磁帶運轉(zhuǎn)**,由于制造時混入灰塵而漏失信息,產(chǎn)生噪聲、顫音。電子計算機 靜電放電引起的噪聲使系統(tǒng)停機、記錄錯誤、漏失信息,計算機外圍設(shè)備 由于靜電力使卡片難于整理、磁鼓**、機械性能不穩(wěn)定測量儀器類 零點變動,誤信號