靜電敏感元器件有90%產(chǎn)生軟擊穿，而10%左右被完全破壞
易被靜電損壞的電子器件稱為靜電敏感器件（Static Sensitive Device簡(jiǎn)稱SSD）。由于科技時(shí)代的需要，小體積、多功能、快速度的集成電路已是目前電子工業(yè)的基本要求。增厚氧化膜，提高其耐壓性，顯然是行不通的，因此在器件的集成度越來越高的趨勢(shì)下，通常將器件氧化膜的膜厚做得越來越薄使其尺寸減少，器件的耐壓也隨之降低。半導(dǎo)體器件，特別是IC，根據(jù)其種類不同受靜電破壞的程度也不一樣，弱至100V的靜電也會(huì)造成破壞，具體數(shù)據(jù)見表l。
表l各種半導(dǎo)體器受靜電破壞的水平
元件的種類 遭受破壞的電壓范圍（V） 元器件典型范例
VMOS器件 30~1800 IRF640、SPP11N60S5、BSN304
MOS場(chǎng)效應(yīng)器件 100~200 TDA4605、TDA16846
坤化鎵場(chǎng)效應(yīng)器件 100~300 EPROM 100 M24C08、AT24C16
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)器件 140~7000 K30A
表面濾波器 150~500 A號(hào)板的CF6264
運(yùn)算放大器 190~2500 V號(hào)板LM3580
CMOS器件 250~3000 S、V號(hào)板AT27C010（L）
肖特基二極管 300~2500 高清上網(wǎng)板1N5817
薄膜電阻 300~3000
雙極型晶體管 380~7000 C1815、A1015
可控硅 680~1000 V號(hào)板SFORIB42
肖特基TTL 1000~2500
從上表可以看出，元器件對(duì)靜電的敏感度是不一樣的，主要可分為以下三個(gè)級(jí)別（見表二）：
表二
敏感類別 敏感電壓閾值（V）
1類 0 - 1999
2類 2000 - 3999
3類 4000 - 15999
敏感電壓閾值大于16000V的產(chǎn)品，屬于非敏感產(chǎn)品。
靜電敏感元器件一般有防靜電標(biāo)志，生產(chǎn)過程中碰到貼有這些標(biāo)志的元器件時(shí)要特別注意防靜電問題：
半導(dǎo)體集成電路在設(shè)計(jì)上對(duì)防靜電失效采取了保護(hù)措施，能為濟(jì)敏感的元器件提供濟(jì)低2000V的靜電放電設(shè)計(jì)保護(hù)，如增加保護(hù)電阻和嵌位二極管使之具有較強(qiáng)的抗靜電能力。盡管靜電防護(hù)設(shè)計(jì)成效很大，但因?yàn)槭艿浇Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)微小型化和產(chǎn)品基本構(gòu)造原理的局限，畢竟只能將敏感電壓閾值提高到一定程度。另一方面，該電壓閾值還與元器件的制造工藝有密切關(guān)系。所以在器件應(yīng)用時(shí)，仍需采取各種有效措施來防止器件受到靜電損傷。
靜電放電（ESD）失效可以是熱效應(yīng)，也可以是電效應(yīng)，這取決于半導(dǎo)體集成電路承受外界過電應(yīng)力的瞬間以及器件對(duì)地的絕緣程度。若器件的某一引出端對(duì)地短路，則放電瞬間產(chǎn)生電流脈沖形成焦耳熱，使器件局部金屬連線融化或芯片出現(xiàn)熱斑，以至誘發(fā)二次擊穿，這就是熱效應(yīng)。若器件與地不接觸，沒有直接電流通路，則靜電源不是通過器件到地直接放電，而是將儲(chǔ)存電荷傳到器件，放電瞬間表現(xiàn)為過電壓導(dǎo)致介質(zhì)擊穿或表面擊穿，這就屬于靜電效應(yīng)。
靜電敏感元器件被靜電損傷后主要表現(xiàn)為兩種形式，即硬擊穿和軟擊穿。電子元器件被靜電破壞后，約有90%產(chǎn)生軟擊穿，而10%左右被完全破壞。電視機(jī)中的靜電敏感元器件發(fā)生硬擊穿后，往往會(huì)產(chǎn)生某種故障，在生產(chǎn)過程中可以馬上檢驗(yàn)出來，不留隱患。而被軟擊穿的元器件，通常在事故發(fā)生后6天~6個(gè)月后工作性能發(fā)生變化，這種變化可以導(dǎo)致間接性故障，通常引發(fā)參數(shù)暫時(shí)性的漂移、不穩(wěn)定或是帶負(fù)載能力變差。軟擊穿還會(huì)使器件耐壓降低，在加上額定電壓的1/4時(shí)便會(huì)損壞。電視機(jī)中的靜電敏感元器件發(fā)生軟擊穿后，不易產(chǎn)生故障，在生產(chǎn)過程中不易檢驗(yàn)出來，存在隱患。
